Что дает разгон оперативной памяти? zhitsoboy.ru

Что дает разгон оперативной памяти?

Стоит ли разгонять оперативную память: плюсы и минусы

Современный мир предъявляет всё более жёсткие требования к качеству визуальных эффектов видеоигр, обработки изображений, проведения расчётов и ряда других процессов. Одним из важнейших компонентов компьютера, использующимся для их обработки, является оперативная память. Производители улучшают её характеристики, совершенствуя технологический процесс изготовления. Но существенный рост эффективности сдерживается временными и финансовыми затратами на создание устройств нового поколения. Один из вариантов увеличения производительности оперативной памяти – её разгон.

Основные параметры

К числу главных характеристик оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) относятся:

  1. Стандарт ОЗУ (DDR2, DDR3, DDR4).
  2. Объём ОЗУ, измеряемый в мегабайтах.
  3. Частота функционирования, измеряемая в мегагерцах.
  4. Пропускная способность, измеряемая в мегабайтах за секунду.
  5. Задержки (тайминги) работы, измеряемые в тактах шины памяти.
  6. Напряжение питания, измеряемое в вольтах.

Для разгона ОЗУ ключевыми свойствами являются частота, тайминги и напряжение питания. Частота напрямую влияет на скорость приёма-передачи данных. Тайминги определяют время задержки на выполнение различных операций (поиск информации, считывание, запись, переход к новому блоку ячеек).

С целью обеспечения технологичности производства разработчик изначально закладывает во многие модели плат возможность работы на нескольких частотах. Дешёвая линейка комплектуется более простыми электронными элементами и встроенными программными инструкциями. Это может привести к тому, что при увеличении рабочей частоты выше номинала появится необходимость увеличения таймингов. При увеличении частоты, с целью обеспечения стабильности работы ОЗУ, нередко требуется повышение рабочего напряжения.

  • Если в конфигурации компьютера в качестве видеокарты используется графический процессор, интегрированный в материнскую плату или центральный процессор, то он не имеет собственной встроенной оперативной памяти, а забирает часть основной у центрального процессора. В этом случае разгон позволяет существенно увеличить быстродействие всей системы в целом и встроенной видеокарты в частности.
  • Рабочий стол компьютера работает немного быстрее. Это обеспечивает более быстрый доступ к файлам и программам.
  • Видеоигры работают немного быстрее. Незначительно увеличивается максимальная частота кадров.
  • Уменьшается время, затрачиваемое центральным процессором на все виды вычислений.
  • Ускоряется быстродействие при выполнении задач, использующих оперативную память для поиска случайных данных (игры, графические редакторы и т. д.), а не для потокового чтения (файлы видеозаписей).
  • Ряд моделей оперативной памяти, как уже упоминалось выше, изначально имеют предусмотренную производителем возможность разгона. Глупо не использовать данный запас мощности.
  • Возможность увеличить производительность старых моделей оперативной памяти, избежав траты средств на приобретение более скоростных новинок. Порой это позволяет отложить на время приобретение нового компьютера.
  • Достаточно субъективное чувство контроля над компьютером, заключающееся в осознании того, что пользователь добился максимальной отдачи техники.

  • При разгоне есть риск получения необратимых повреждений оперативной памяти, если разгон производится посредством увеличения рабочей частоты. При переходе на большую рабочую частоту для стабильной работы необходимо повысить напряжение питания. При превышении его максимально допустимой величины плата может сгореть.
  • Нередко контроллеры оперативной памяти располагаются не на материнской плате, а интегрированы в кристалл центрального процессора. Слишком сильный разгон может существенно увеличить тепловыделение на контроллерах и привести к выходу процессора из строя.
  • Параметры разгона оперативной памяти, неприемлемые для материнской платы, могут привести к отказу старта операционной системы. В большинстве случаев это происходит из-за неспособности материнской платы автоматически отменить недопустимые для неё настройки BIOS. Это исправляется обычным извлечением батарейки из платы, но иногда может привести к повреждению компонентов компьютера.
  • Разгон оперативной памяти, за счёт увеличения рабочей частоты, может потребовать увеличения таймингов для обеспечения стабильности работы. Из-за этого итоговая производительность может измениться как в большую, так и в меньшую сторону.
  • Процесс разгона оперативной памяти очень трудоёмкий. Изменение одних параметров требует корректировки других. В ряде случаев требуется возврат на несколько шагов назад. Даже при идеальном разгоне реальный прирост быстродействия существенно уступает тому, которое достигается при разгоне центрального процессора.
  • Снижение срока службы оперативной памяти. Перевод из номинального режима работы в режим повышенных или экстремальных нагрузок обязательно снизит рабочий ресурс модулей памяти.
  • Разгон оперативной памяти сверх номинальных режимов работы, установленных производителем, является основанием для отказа от гарантийных обязательств перед потребителем. Сейчас появились модули памяти, на которые производитель даёт пожизненную гарантию (на заявленный срок службы). В этом случае следует хорошо подумать перед проведением с ней каких-либо манипуляций.

Разгон оперативной памяти даёт незначительный прирост производительности компьютера. В большинстве случаев он не является оправданным. Исходя из упомянутых плюсов и минусов, можно сделать вывод, что разгон оправдан:

  1. Если графический процессор является интегрированным и забирает часть ресурса ОЗУ.
  2. Если процессор и видеокарта значительно превосходят по мощности установленные модули ОЗУ, а замена ОЗУ невозможна по техническим или финансовым причинам.

Разгон — это просто: оперативная память

Поделитесь в соцсетях:

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, – оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5–10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы – почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память – это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Читать еще:  Как разобрать системный блок компьютера для чистки?

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

  1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
  2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
  3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
  4. При чтении данных – зарядов конденсаторов – их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
  5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция – Refresh – выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги – временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) – пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) – время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) – временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) – время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T – за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) – время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer – время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое – величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Как разогнать оперативную память ddr3

Оперативная память является важным компонентом компьютера или ноутбука, который частично определяет его быстродействие и возможности. Немногие знают о том, что производительность устройств можно существенно повысить, не прибегая к замене основных элементов. Делается это путем «разгона» установленных микросхем, в том числе и ОЗУ. Процесс разгона отличается от повышения мощности процессора или видеопамяти. Мы расскажем вам, как сделать это правильно, не допуская ошибок.

Специфика процесса

Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности. Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно — все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.

Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:

  1. Увеличения показателя тактовой частоты. Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
  2. Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле. При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.

Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.

Оптимальные методы разгона

При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность — обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.

Среди основных рекомендаций выделим следующие моменты:

  1. При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
  2. При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.

Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты. Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.

Читать еще:  Что дает увеличение оперативной памяти компьютера?

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.

Рабочее напряжение

Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым. Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.

На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.

При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.

Использование тестов

Точного способа разогнать оперативную память ddr3 нет. Это связано с тем, что существует огромное количество планок ОЗУ, каждая может отреагировать по-разному на изменение заводских параметров. Именно поэтому выходом из ситуации становится подбор наиболее подходящих настроек при тестировании каждого изменения. Для этого можно использовать специальные программы, которые существенно упрощают поставленные задачи.

При выборе программ для тестирования работы компьютера рекомендуется уделить внимание следующим:

Выделить лучшую программу с двух вышеприведенных сложно, так как каждая имеет свои достоинства и недостатки. Почему именно эти две программы при огромном выборе? Ответ довольно прост — они не только делают мониторинг основных показателей при нагрузке или простое устройства, но и имеют функцию отслеживания стабильности работы многих моделей ОЗУ. Подобным образом снижают вероятность того, что проведенные изменения приведут к потере стабильности работы оперативной памяти.

Инструменты изменения показателей

Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:

  1. Использование интерфейса БИОСа.
  2. Установка и использование сторонней программы.

Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно, быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.

Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:

  1. К изменению показателя частоты работы устройства следует относиться с осторожностью, так как правильная корректировка заключается не только во введении одной цифры. Частота зависит от произведения двух основных значений: FSB и BCLK. Получаемое значение принято считать «опорной частотой». Если будет проводиться изменение только множителя, то увеличить производительность будет невозможно.
  2. Принято уделять внимание особенностям процессора при разгоне модулей ОЗУ, так как этот элемент более важен в системе. Часто наблюдается ситуация, что одинаковые значения тайминга и тактовой частоты при различных процессорах дают разный результат. При этом точные рекомендации сложно найти, производители и вовсе не рекомендуют проводить изменение устанавливаемых настроек.
  3. Результат проведения работы по разгону зачастую непредсказуемый, но увеличить шансы на успех можно при изучении специализированных форумов, где можно найти пример похожего сочетания процессора и планок памяти.

Процессоры Intel и AMD

Тесты, которые проводятся при разгоне оперативной памяти, указывают на то, что процессоры Intel, построенные на современной архитектуре, плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если провести его изменение, то велика вероятность возникновения серьезных сбоев.

Эта информация определяет то, что изменить «опорную частоту» будет довольно сложно. Поэтому единственный выход из сложившей ситуации — изменение показателя множителя, что обычно приводит к незначительному повышению мощности.

Некоторые из процессоров рассматриваемого производителя хорошо реагируют на подобные эксперименты. Примером назовем Core i7−8. При их производстве используется архитектура Lynnfield.

На результаты проводимых экспериментов может оказать влияние и тип материнской памяти. Данный элемент компьютера также имеет чипсет, который отвечает за обработку некоторой информации.

Процессоры, выпускаемые под брендом AMD, постепенно уходят с рынка. При этом они ведут себя более предсказуемо при увеличении производительности оперативной памяти, что позволяет снизить вероятность возникновения ошибок.

В заключение отметим, что повышение производительности всегда приводит к выделению большего количества тепла. Поэтому при недостаточном охлаждении системного блока следует провести установку более мощной системы отвода тепла, так как велика вероятность перегрева.

Из этого видео вы узнаете, как правильно настроить и разогнать оперативную память вашего ПК.

Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Увеличиваем производительность ПК за счет оверклокинга оперативной памяти

Как показывает практика, многие пользователи и не подозревают о том, что апгрейд ПК — не единственный вариант увеличения производительности компьютера. В прошлых публикациях из серии материалов «Выжимаем соки из ПК», мы рассказывали вам о том, как разгонять процессор и видеокарту. Но это не единственные комплектующие, мощность которых можно увеличить программным способом. В эту категорию входит ещё и ОЗУ. В сегодняшней статье мы расскажем вам, как, разгонять оперативную память, как оперативка связана с процессором и для каких систем оверклокинг особенно выгоден.

Какой прирост производительности от разгона?

В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа, потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой. Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью, зачастую ограничивались производителем. Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.

Читать еще:  Диагностика SSD дисков программа

Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 — прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.

От чего зависит разгон?

  • Частота и тайминги

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше. Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти.

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Большое значение имеет и ранг памяти. Существует два основных типа: двухранговая и одноранговая ОЗУ. Если плата содержит набор из восьми 8-битных чипов (в общей сложности получается 64 бита) то это один ранг. Если плата содержит шестнадцать восьмибитных чипов, то она, соответственно, двухранговая. С точки зрения разгона, single rank намного выгоднее. Он не только дешевле по цене, но и позволяет планке взять более высокую частоту. Dual rank же на стоковых частотах показывает себя, как более мощное устройство, однако покоряет далеко не самые высокие вершины частоты. Поэтому двухранговая память лучше подойдет в стоковые сборки, где не планируется оверклокинг.

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой «S«. Двухранговые — буквой «D«. Пример:

  • KVR21N15S8/8 — одноранговая.
  • KVR21N15D8/8 — двухранговая.
  • Производитель чипов

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело, компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов можно тоже с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию «Системная плата«, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Процесс разгона

Если вы являетесь счастливым обладателем качественно исполненного кита памяти, как, например Corsair Vengeance 3200 МГц, то вас ждет простая и короткая последовательность действий в БИОСе. Достаточно просто выставить соответствующий XMP-профиль в настройках. XMP-профиль — заранее заготовленные разработчиками настройки памяти. Просто выберете нужную вам частоту и XMP профиль автоматически подстроить все остальные параметры. Выбрать профиль можно в разделе «OC», подраздел «Dram settings«. Если память не поддерживает XPM, то придется подбирать все параметры вручную.

Не забудьте выставить напряжение в разделе «Dram Voltage«. Напоминаем, что рекомендуется не превышать отметку в 1,4 В. Можно сразу же выбрать максимальное значение и в случае стабильности системы убавлять.

Следующим шагом будет повышение напряжения контроллера памяти и L-3 кэша. Параметр называется CPU NB/SoC Voltage. В случае если вы не можете в настройках найти данный параметр, то причиной может быть устаревшая версия БИОСа материнской платы. Например, на материнке Asrock Fatality AB350 Gaming K4 данный функционал открывается только в самой свежей версии БИОСа, которая вышла пару месяцев назад. До этого владельцы такой доски не могли регулировать напряжение контроллера памяти. В среднем, рекомендуемые значения при разгоне находятся в диапазоне от 1,025 до 1,15 В. Точное значение подбирается экспериментальным путем, потому что сильно зависит от чипов памяти.

После всех проделанных манипуляций остается только подобрать соответствующие тайминги (если, конечно, ваши модули не поддерживают XMP). Тут всё зависит от степени разгона. При небольшом оверклокинге, достаточно поднять все значения на пару тактов. Скажем, с 16-16-16-39 до 18-18-18-41. В первый раз можно взять с запасом и после прогона стресс-теста снизить значения.

Далее сохраняем изменения в БИОСе, нажав клавишу F10. Если система стартовала успешно, то нужно запустить стресс-тест. С этой задачей справится встроенный бенчмарк в AIDA64. Но лучше воспользоваться специализированным софтом вроде MemTest86. Если после теста всё работает стабильно и без ошибок, то возвращаемся в БИОС, снижаем тайминги и напряжение до тех пор, пока система не откажется запускаться. Таким образом, «методом тыка» мы ищем максимально производительные значения при которых система не вылетает. Далее снова прогоняем тесты, финальным штрихом является тяжелая нагрузка в играх. Если все ОК — потираем ручки и радуемся бонусной производительности.

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector