Как разогнать частоту оперативной памяти? zhitsoboy.ru

Как разогнать частоту оперативной памяти?

Разгон — это просто: оперативная память

Поделитесь в соцсетях:

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, – оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5–10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы – почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память – это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

  1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
  2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
  3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
  4. При чтении данных – зарядов конденсаторов – их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
  5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция – Refresh – выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги – временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) – пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) – время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) – временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) – время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T – за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) – время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer – время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое – величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Увеличиваем производительность ПК за счет оверклокинга оперативной памяти

Как показывает практика, многие пользователи и не подозревают о том, что апгрейд ПК — не единственный вариант увеличения производительности компьютера. В прошлых публикациях из серии материалов «Выжимаем соки из ПК», мы рассказывали вам о том, как разгонять процессор и видеокарту. Но это не единственные комплектующие, мощность которых можно увеличить программным способом. В эту категорию входит ещё и ОЗУ. В сегодняшней статье мы расскажем вам, как, разгонять оперативную память, как оперативка связана с процессором и для каких систем оверклокинг особенно выгоден.

Какой прирост производительности от разгона?

В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа, потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой. Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью, зачастую ограничивались производителем. Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.

Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 — прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.

Читать еще:  100 процентная загрузка диска Windows 10

От чего зависит разгон?

  • Частота и тайминги

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше. Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти.

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Большое значение имеет и ранг памяти. Существует два основных типа: двухранговая и одноранговая ОЗУ. Если плата содержит набор из восьми 8-битных чипов (в общей сложности получается 64 бита) то это один ранг. Если плата содержит шестнадцать восьмибитных чипов, то она, соответственно, двухранговая. С точки зрения разгона, single rank намного выгоднее. Он не только дешевле по цене, но и позволяет планке взять более высокую частоту. Dual rank же на стоковых частотах показывает себя, как более мощное устройство, однако покоряет далеко не самые высокие вершины частоты. Поэтому двухранговая память лучше подойдет в стоковые сборки, где не планируется оверклокинг.

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой «S«. Двухранговые — буквой «D«. Пример:

  • KVR21N15S8/8 — одноранговая.
  • KVR21N15D8/8 — двухранговая.
  • Производитель чипов

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело, компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов можно тоже с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию «Системная плата«, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Процесс разгона

Если вы являетесь счастливым обладателем качественно исполненного кита памяти, как, например Corsair Vengeance 3200 МГц, то вас ждет простая и короткая последовательность действий в БИОСе. Достаточно просто выставить соответствующий XMP-профиль в настройках. XMP-профиль — заранее заготовленные разработчиками настройки памяти. Просто выберете нужную вам частоту и XMP профиль автоматически подстроить все остальные параметры. Выбрать профиль можно в разделе «OC», подраздел «Dram settings«. Если память не поддерживает XPM, то придется подбирать все параметры вручную.

Не забудьте выставить напряжение в разделе «Dram Voltage«. Напоминаем, что рекомендуется не превышать отметку в 1,4 В. Можно сразу же выбрать максимальное значение и в случае стабильности системы убавлять.

Следующим шагом будет повышение напряжения контроллера памяти и L-3 кэша. Параметр называется CPU NB/SoC Voltage. В случае если вы не можете в настройках найти данный параметр, то причиной может быть устаревшая версия БИОСа материнской платы. Например, на материнке Asrock Fatality AB350 Gaming K4 данный функционал открывается только в самой свежей версии БИОСа, которая вышла пару месяцев назад. До этого владельцы такой доски не могли регулировать напряжение контроллера памяти. В среднем, рекомендуемые значения при разгоне находятся в диапазоне от 1,025 до 1,15 В. Точное значение подбирается экспериментальным путем, потому что сильно зависит от чипов памяти.

После всех проделанных манипуляций остается только подобрать соответствующие тайминги (если, конечно, ваши модули не поддерживают XMP). Тут всё зависит от степени разгона. При небольшом оверклокинге, достаточно поднять все значения на пару тактов. Скажем, с 16-16-16-39 до 18-18-18-41. В первый раз можно взять с запасом и после прогона стресс-теста снизить значения.

Далее сохраняем изменения в БИОСе, нажав клавишу F10. Если система стартовала успешно, то нужно запустить стресс-тест. С этой задачей справится встроенный бенчмарк в AIDA64. Но лучше воспользоваться специализированным софтом вроде MemTest86. Если после теста всё работает стабильно и без ошибок, то возвращаемся в БИОС, снижаем тайминги и напряжение до тех пор, пока система не откажется запускаться. Таким образом, «методом тыка» мы ищем максимально производительные значения при которых система не вылетает. Далее снова прогоняем тесты, финальным штрихом является тяжелая нагрузка в играх. Если все ОК — потираем ручки и радуемся бонусной производительности.

Тестирование и разгон комплекта оперативной памяти DDR 3 Kingston HyperX Predator 1866MHz.

Я попал. Не стрелой в яблоко. Я попал тем чем в троллейбусе сидят приличные люди.

И прямо на рабочее место проктолога. Я почему с вами так откровенно? У вас тоже этот Интел? На котором сколько память не разгоняй, все одно АМД сзади? И в играх FPS хороший? Только немного слева или справа? Ну вы в курсе? И тут то мне досталась (вру, сам выпросил) на тест память.

Я почему так с вами (второй раз спрашиваю, не?). Их было два комплекта для обзора. Клянусь своим деревянным глазом! Я то думал как: titikaka88 разгонит, оторвет радиаторы, напишет все, не скрывая интимного, и мне останется только вот так немного пошутить. А он то не дурак.. У него тоже интел. И написал он хорошо. Ну а вы знаете как на этом разгонять память? Нет? У, тогда моя статья — вам)

Ладно, завязываю я с лирикой и начинаю писать исключительно суръезно.

Упаковка и комплектация.

Тут мне и писать то нечего. titikaka88 съел весь мой хлеб и масло в придачу. Да. Комплект памяти Kingston HyperX Predator 1866MHz KHX18C9T2K2/8X поставляется в скромном пластиковом блистере.

Читать еще:  За что отвечает оперативная память в компьютере?

На упаковке надписи с названием товара и стилизованная голова какого-то мужика (основатель фирмы что-ли?).

Внутри лежат, прочно закрепленные силой трения, 2 модуля памяти и бумажка. Так, кто спер бумажку? Ну что за варвары? Туалетную бумагу придумали в Китае в 6 веке нашей эры!

А, прошу прощения, вот она!

На бумажке простыми и незамысловатыми рисунками объяснено куда что вставить и откуда перед этим вытащить, чтобы у вас все сложилось хорошо с памятью Kingston.

Достаем сами модули. Ого! Это алюминиевые радиаторы? А не чугун?

Вес модулей весьма солидный и сразу заставляет вас проникнуться мыслью, что держите вы не какие-нибудь безделушки, а настоящие модули для энтузиастов. И пусть вас не смущает голубой цвет радиаторов — это модули для настоящих мужчин!

Технические характеристики

Про характеристики я тоже не все писать буду. Кому интересно, можете прочитать у titikaka88. Или сходить на официальный сайт. Что повторяться то?

Добавлю только что в серии HyperX Predator у Kingston несколько комплектов модулей памяти с частотами до 2666МГц. Мне на тестирование достался младший комплект из двух модулей памяти по 4 Гб : Kingston HyperX Predator KHX18C9T2K2/8X с частотой 1866 МГц.

Модули могут работать на частотах:

800 МГц с таймингах 6-6-6-15 1066 МГц с таймингах 7-7-7-20 1333 МГц с таймингами 9-9-9-24

Так же имеются 2 профиля Intel XMP версии 1.2

1600 МГц с таймингами 9-9-9-27 при напряжении питания модулей 1.65 В. 1866 МГц с таймингами 9-11-9-27 при напряжении питания модулей 1.65 В.

Разгон

Разгон памяти производился на 2 матплатах:

Очень бюджетная Gigabyte GA-PA65-UD3-B3

На Intel® H61 чипсете.

И среднебюджетная ASUS P8 Z77-V-LX

На чипсете Intel® Z77 Express.

* Процессор: Intel® Core i5-3550; * Кулер: Thermaltake Big Typhoon; * Видеокарта: Asus GeForce GTX 650 Ti; * SSD Plextor M5S 128Гб; * БП: Thermaltake Tough Power W0104 650Вт и Corsair CX600.

Немного о методике разгона памяти на платформе Intel®.

Частоту памяти можно изменить только множителем. Множитель задает соотношение частоты BCLK (базовой частоты тактового генератора на материнской плате) и частоты памяти. Частоту BCLK на платформе Intel® можно менять в очень небольших пределах- пару мегагерц вверх и вниз. Стандартное напряжение для памяти (Vdimm) DDR3 составляет 1.5 В (существуют еще энегроэффективные DDR3L с 1.35В и DDR3U с 1.25 В, но у нас речь не о них). Обычное напряжение для оверклокерских модулей — 1.65 В. Intel не рекомендует превышать отметку в 1.65 В, так как это может привести к повреждению процессора. Дело в том что контроллер памяти питается от Vdimm, и завышение этого напряжения может привести к локальному перегреву процессора с фатальными последствиями. То есть весь разгон сводится к установке множителя памяти, подбора таймингов и напряжения при которых память будет работать стабильно.

Часть первая. Матплата Gigabyte GA-PA65-UD3-B3

С установкой, благодаря конструкции кулера Big Typhoon, у меня проблем не возникло. У него радиатор вынесен достаточно далеко от матплаты и не перекрывает слоты памяти. С башенными кулерами могут быть проблемы при установке таких крупногабаритных модулей.

К сожалению, фото настроек BIOS и установки погибли вместе с первым вариантом статьи, а на второй раз меня не хватило. Впрочем, интересного там и нет ничего. Хотя вот фото модулей, установленных в плату Gigabyte с размерами.

Если Вы хотите приобрести подобную память и Вас габаритный кулер, по данному рисунку можно прикинуть, будет ли он мешать установке модулей.

Настройки памяти у Gigabyte достаточно скромные. Можно выставить частоту (множитель), настроить тайминги и менять напряжение с шагом 0.02В (то есть даже рекомендованные 1.65В для XMP профилей не выставишь — либо 1.64 В, либо 1.66 В). О существовании профилей Intel XMP плата не подозревает.

В общем, долго я рассказывать не буду. Один раз каким-то чудом мне удалось запустить память на 1600 МГц. Потом полез в BIOS что-то менять и все. Как ни бился, на частоте выше 1333 МГц палата не стартовала. Вывод: покупать оверклокерскую память для установки в такие бюджетные платы не стоит.

Часть вторая. Разгон на ASUS P8 Z77-V-LX.

Матплата поддерживает ХМР профили.

Установка модулей так-же прошла без проблем — свободного места достаточно.

Настройки памяти на этой плате гораздо интереснее.

Напряжение можно менять от 1.185В до 2.135В с шагом 0.005В.

Эффективную частоту можно установить от 800 до 3200 МГц.

Ну и, естественно, задавать все тайминги вручную.

Лирика: Так меня утомила плата Gigabyte, что я стал настройки BIOS на асусе врукопашную фотоаппаратом фотографировать. Потом вспомнил, что есть волшебная кнопочка «сделать скриншот» 🙂

По дефолту память заводится на частоте 1333 МГц. Чтобы она заработала на заявленной частоте, нужно в BIOS активировать ХМР профили и выставить частоту.

Вот в картинках для неопытных пользователей, а то очень часто задают вопросы, почему я купил память 1866 МГц, а она работает на 1333 МГц. Это , конечно для ASUS P8 Z77-V-LX, но и на других материнских платах настройки сильно отличаться не будут.

Выбираем параметр Ai Overclock Tuner и ставим значение Х.М.Р. для использования ХМР профилей или Manual для ручного разгона.

Теперь, если мы выставили ХМР профили, можно выбрать, какой профиль использовать.

Матплата корректно выставила напряжение и тайминги, прописанные в профиле.

Максимальная частота, на которой память работала без проблем составила 2400 МГц с таймингами 11-12-11-30-1 и напряжением 1.75 В. Радиаторы при таком напряжении нагревались максимум до 35 градусов Цельсия. Такой нагрев ставит под сомнение целесообразность их применения на такой памяти. Это скорее дань «статусности».

Уменьшение таймингов или напряжения приводило к нестабильности. Что характерно, проблемы в первую очередь возникали с браузером Firefox, при малейшей нестабильности он вываливался с ошибкой, багрепортами я заспамил сайт Мозиллы 🙂 Видимо, работа браузера очень зависит от стабильности оперативной памяти.

Ну а теперь немного негатива о платах Asus: как меня задолбала эта плата! Ну почему нельзя сделать нормальный продукт? При переразгоне памяти плата делала что хотела: 1)стартовала с черным экраном и не пускала в биос; 2)тупо несколько раз подряд пыталась завестись, не реагируя никак на мои действия; 3)зависала в BIOS. Несколько раз пришлось сбрасывать джампером биос в дефолт. Почему дешевенькая Gigabyte при нестабильных настройках памяти просто сбрасывала все в дефолт и предлагала зайти в биос и самому все исправить? Еще из косяков этой платы: ни в какую не захотела работать с моим БП Thermaltake Tough Power W0104 650Вт. Клянусь, все с блоком нормально. Паранойя какая-то. Причем, выглядело это так: загружается система, все работает, потом бац — выключение, перезагрузка, опять все хорошо и опять через пару минут — бац! Никаких синих экранов. Я голову сломал, пока додумался БП заменить. С другими платами он абсолютно нормально работает. Asus Anti-Surge выключил сразу в BIOS, но что-то у меня подозрение что она все равно работает. После установки комплектных драйверов с диска, в диспетчере остается нераспознанное устройство. Это не мешает работе, но неприятно. Лечится.

Читать еще:  Прервано ошибка сети при скачивании как исправить?

Тестирование

Для тестирования использовалось следующее ПО:

7-Zip (встроенный тест упаковки-распаковки архивов);

3DMark 2013 Тест Fire Strike;

S.T.A.L.K.E.R. Call of Pripyat Benchmark;

AIDA64 тесты пропускной способности.

Память тестировалась в 3 режимах:

частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24-1, напряжение 1.5В;

частота 2200 МГЦ, тайминги 9-11-10-27-1, напряжение 1.72В;

частота 2400 МГц, тайминги 11-12-11-30-1, напряжение 1.75В.

В 7-Zip и AIDA64 очень наглядно наблюдается зависимость скорости от частоты памяти:

3DMark 2013 никак не реагирует на изменение частоты работы памяти.

Результаты 3DMark подтверждает бенчмарк Call of Pripyat.

Максимальная производительность изменяется в пределах погрешности. Хотя минимальный FPS растет с ростом частоты. Кроме тестовой сцены «Дождь», где почему-то наоборот минимальный FPS падает с ростом частоты.

Выводы: Очень неплохой комплект памяти с актуальным объемом 8Гб, которого сейчас достаточно для основного круга задач выполняемых компьютером. Неплохой разгонный потенциал, который впрочем, зависит от возможностей вашей материнской платы. Красивые радиаторы, именно придание красоты и статусности и есть их основная функция, ибо реально они при штатных частотах работы памяти не нужны.

Из минусов можно назвать только увеличенные габариты модулей, которые ограничивают вас в выборе кулера. Ну и более скоростной комплект 2400MHz Kingston HyperX Intel XMP Predator стоит всего примерно на 250 руб. дороже. Впрочем, с разгоном эта память прекрасно работает на таких частотах.

Разгоняем оперативную память. От теории к практике

Разгон оперативной памяти. То чувство, когда 1333 DDR3 = 2400 DDR.

Изменение частоты памяти не влияет на её реальную скорость. «Что за бред! Чем выше частота, тем лучше!» — возразите вы. Дочитайте статью до конца и я развею все ваши сомнения.

«Физика» работы памяти

Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.

Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.

Удерживаем данные в памяти

Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.

Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения. Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память.

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector