Оперативная память ddr3 и ddr4 разница zhitsoboy.ru

Оперативная память ddr3 и ddr4 разница

DDR3, DDR4 или DDR5 ОЗУ — в чем различия?

Когда мы говорим RAM, с самого начала не всегда понятно, что мы имеем в виду. В конце концов, DDR4, DDR3 и DDR5 являются поколениями оперативной памяти. Важно обращать внимание на спецификацию ОЗУ компьютера, потому что каждые несколько лет ОЗУ нового поколения становится общепринятым стандартом. Рассмотрим все о различиях между различными типами RAM в разделах далее.

Эволюция оперативной памяти

Сама DDR означает двойную скорость передачи данных. Технически, когда вы подразумеваете карту памяти, полное название — это синхронная динамическая память с произвольным доступом с двойной скоростью передачи данных. Тем не менее, мы сокращаем это до DDR SDRAM.

DDR (или DDR1), конечно, был первым поколением модернизированной оперативной памяти. Раньше ОЗУ было с одной скоростью передачи данных или SDR. Оттуда DDR2, DDR3 и DDR4 были разработаны с течением времени. Каждое поколение работает быстрее и эффективнее, чем предыдущие. DDR5, конечно, находится в разработке как следующее поколение оперативной памяти.

В настоящее время большинство современных компьютеров построены на использовании оперативной памяти DDR4 и не имеют обратной совместимости. Таким образом, если у вас есть более старая материнская плата, которая использует оперативную память DDR3, вы не сможете установить в нее память из серии DDR4 без замены всей материнской платы. Точно так же большинство современных материнских плат также не могут использовать DDR3 или DDR2.

Чтобы посмотреть на эволюцию DDR RAM в более конкретных цифрах, взгляните на таблицу далее.

Конечно, в этой статье будут затронуты только оперптивная память DDR3, DDR4 и DDR5, поскольку другие типы функционально устарели для игр. В то время как ОЗУ DDR4 является наиболее распространенным в настоящее время, вы все равно можете увидеть некоторые функциональные компьютеры, использующие ОЗУ DDR3.

Хотя технология оперативной памяти DDR5 доступна сегодня, она была разработана только несколькими компаниями. Кроме того, Intel и AMD потребуют больше времени для выпуска материнских плат, которые будут поддерживать протокол DDR5.

Различия между DDR3, DDR4 и DDR5

Если вы посмотрите на таблицу выше, то увидите, что производительность каждой итерации протокола DDR значительно возрастает по сравнению с последним поколением. Некоторые характеристики, такие как пропускная способность, могут почти удваиваться от одного поколения к другому, в то время как другие, такие как напряжение, все еще улучшаются, но страдают от убывающей отдачи.

Каждый из параметров, упомянутых в таблице выше, имеет свое назначение. Далее углубимся в эти параметры.

Пропускная способность

Пропускная способность компьютера рассчитывается с использованием нескольких различных параметров. Однако, в простейшем смысле, чем выше скорость вашей оперативной памяти (в МГц), тем более функциональной она будет. Однако помните, что DDR4 почти всегда будет быстрее оперативной памяти любого предыдущего поколения.

Кроме того, имейте в виду, что размер ОЗУ тоже имеет значение. Больший объем всегда будет лучше, чем скорость оперативной памяти. Например, если у вас 32 ГБ ОЗУ на частоте 2400 МГц, он все равно будет работать лучше, чем 16 ГБ ОЗУ на частоте 3600 МГц.

Когда на рынке появились текущие возможности оперативной памяти DDR4, они были слишком дороги, чтобы в течение некоторого времени дать возможность на покупку оперативной памяти DDR3 для большинства обычных пользователей. Скорее всего, когда DDR5 начнет доходить до обычных потребителей, это также будет иметь место.

Напряжение

Как правило, чем выше напряжение в ОЗУ, тем лучше оно будет работать (конечно, в течение одного поколения). ОЗУ с более высоким напряжением также будет производить больше тепла. Однако важно, чтобы напряжение памяти соответствовало материнской плате. модель ОЗУ, которое соответствует ограничениям вашей материнской платы. Некоторые протоколы ОЗУ также доступны в вариантах с низким или сверхнизким напряжением, чтобы предоставить вам более широкий выбор.

Возможно, вы уже слышали термин «предварительная выборка» как термин «информатика». Однако, когда речь идет об оперативной памяти, слово «предварительная выборка» относится к архитектуре предварительной выборки. Оперативная память с размером буфера предварительной выборки 2n будет обращаться к памяти в два раза быстрее, чем SDRAM, которая имеет размер буфера предварительной выборки 1n (или одну единицу данных).

По сути, когда SDRAM читает данные, она читает одну единицу данных за раз. Тем не менее, ОЗУ DDR1, которое имеет буфер предварительной выборки 2n, считывает две единицы данных за раз. ОЗУ считывает две единицы данных, которые находятся рядом друг с другом, поскольку предполагается, что ЦП понадобятся эти данные. На практике это очень часто бывает.

Как и ожидалось, чем выше буфер предварительной выборки оперативной памяти, тем больше данных она будет читать за один проход. Чтение большего количества данных за один проход, даже если это в основном данные, которые не нужны вашему компьютеру, гораздо эффективнее, чем повторный просмотр.

Таким образом, оперативная память DDR4 работает в восемь раз быстрее, чем SDRAM, поскольку она имеет буфер предварительной выборки 8n. С другой стороны, оперативная память DDR5 может быть в шестнадцать раз быстрее SDRAM. Оперативная память DDR3 работает в том же буфере предварительной выборки, что и оперативная память DDR4.

Один параметр, который мы не перечислили в нашей таблице, это размер. В заключении, плашеи памяти DDR3, DDR4 и DDR5 имеет разную форму. Это сделано намеренно, чтобы гарантировать, что пользователи не установят неправильный размер памяти для конкретной материнской платы, конечно.

Однако это означает, что если вы уже приобрели материнскую плату, вам необходимо убедиться, что оперативная память, которую вы хотите купить, совместима с этой материнской платой.

Задержка является еще одним параметром, который не перечислен в таблице выше. Задержка используется для расчета пропускной способности конкретного чипа ОЗУ. Однако он не описан выше, потому что задержка между чипами DDR3 и DDR4 будет в основном незаметна для обычных пользователей. Хотя большинство чипов DDR4 имеют немного большую задержку, чем сопоставимые чипы DDR3, другие достижения в производительности, как правило, перевешивают этот факт.

По сути, есть несколько вещей, которые следует учитывать при выборе между оперативной памятью DDR3, DDR4 и DDR5. Если вы хотите сразу пользоваться DDR5, вам может потребоваться некоторое время, чтобы он стал экономичным и стабильным, но он будет иметь предсказуемо существенные преимущества в производительности по сравнению с DDR3 и DDR4.

Если у вас старый компьютер, по умолчанию вы можете использовать только оперативную память DDR3. Однако, если вы не ищите ОЗУ с малой задержкой, нет других причин искать DDR3. Оперативная память DDR4 — ваш наиболее приемлемый вариант, который будет (вероятно) в течение нескольких лет.

DDR4 vs. DDR3: сравнительное тестирование оперативной памяти

Выпуск платформы Socket LGA1151 наконец-то позволил сравнить между собой память стандартов DDR4 и DDR3 в равных условиях. Однако прежде чем перейти к результатам тестирования, предлагаем сначала более детально изучить различия между данными типами модулей. Это даст нам лучшее представление о том, чего стоит ожидать от новой памяти не только сейчас, но и в ближайшем будущем.

Читать еще:  Можно ли добавить оперативную память на ноутбук?

За разработку стандарта DDR4 ассоциация JEDEC взялась еще в 2005 году. В те времена в магазинах еще полных ходом продавались планки DDR2, и только планировался серийный выпуск модулей DDR3. Иными словами, инженеры уже тогда понимали, что возможности данных стандартов ограничены и рано или поздно они станут лимитировать либо вовсе не соответствовать уровню остальных комплектующих ПК.

Причем речь идет не только о пропускной способности памяти, но и о таких важных характеристиках, как энергопотребление модулей и их объем. Как можно убедиться из данной диаграммы, планки DDR4 обходят своих предшественников по всем параметрам.

Увеличение пропускной способности

Пропускная способность подсистемы памяти напрямую зависит от скорости работы модулей: чем она выше, тем быстрее осуществляется запись и чтение из памяти. Конечно, далеко не все приложения постоянно обмениваются большими массивами данных, поэтому в реальных условиях эксплуатации пользователь может и не ощутить преимущества от установки более производительных комплектов. Но если мы говорим о специализированных программах наподобие видео- и фоторедакторов, CAD-систем или средств для создания 3D-анимации, то результат от применения скоростных модулей уже окажется куда существеннее. Также высокая пропускная способность подсистемы памяти важна при использовании встроенной графики. Ведь у iGPU нет доступа к быстрым чипам GDDR5, поэтому вся необходимая ему информация помещается в оперативную память ПК. Соответственно, в данном случае установка более производительных комплектов памяти напрямую будет влиять на количество FPS на экране.

Для формата DDR3 стандартными являются частоты от 1066 МГц до 1600 МГц, и лишь недавно добавилось значение 1866 МГц. Для DDR4 же минимальная скорость работы начинается с отметки 2133 МГц. Да, вы скажете, что модули DDR3 могут наверстать разницу с помощью разгона. Но ведь то же самое доступно и для планок DDR4, у которых и разгонный потенциал выше. Ведь с помощью оптимизации параметров модули DDR3 обычно берут планку в 2400 – 2666 МГц, для DDR4 без проблем покоряются высоты в 2800 – 3000 МГц.

Если сравнивать стандарты DDR4 и DDR3 с точки зрения энтузиастов-оверклокеров, то и тут перевес будет на стороне DDR4. Уже сейчас достигнуто значение в 4838 МГц, а ведь прошел только один год после анонса нового формата. Напомним, рекордной частотой разгона для модулей DDR3 является 4620 МГц, которая была зафиксирована лишь через 7 лет после запуска стандарта DDR3 в производство. Одним словом, в плане скорости работы потенциал у памяти DDR4 очень большой.

Улучшение энергоэффективности

Вторым важным преимуществом модулей DDR4 является возможность функционирования на низких напряжениях. Так, для их корректной работы на номинальных частотах (2133 – 2400 МГц) достаточно всего лишь 1,2 В, что на 20% меньше, чем у их предшественников (1,5 В). Правда, со временем на рынок была выведена энергоэффективная память стандартов DDR3L и DDR3U с напряжением питания 1,35 и 1,25 В соответственно. Однако она стоит дороже и имеет ряд ограничений (как правило, ее частота не превышает 1600 МГц).

Также память DDR4 получила поддержку новых энергосберегающих технологий. Например, модуль DDR3 использует только одно напряжение Vddr, которое для выполнения некоторых операций повышается с помощью внутренних преобразователей. Тем самым генерируется лишнее тепло и уменьшается общая эффективность подсистемы памяти. Для планки стандарта DDR4 спецификация предусматривает возможность получения этого напряжения (Vpp, равное 2,5 В) от внешнего преобразователя питания.

Память DDR4 также получила усовершенствованный интерфейс ввода/вывода данных под названием «Pseudo-Open Drain» (POD). От используемого ранее Series-Stub Terminated Logic (SSTL) он отличается отсутствием утечки тока на уровне драйверов ячеек памяти.

В целом же использование всего комплекса энергоэффективных технологий должно привести к 30%-ому выигрышу в энергопотреблении. Возможно, в рамках настольного ПК это покажется несущественной экономией, но если речь идет о портативных устройствах (ноутбуки, нетбуки), то 30% – не такое уж и маленькое значение.

Модернизированная структура

В максимальной конфигурации чип DDR3 содержит 8 банков памяти, тогда как для DDR4 доступно уже 16 банков. При этом длина строки в структуре чипа DDR3 составляет 2048 байт, а в DDR4 – 512 байт. В результате новый тип памяти позволяет быстрее переключаться между банками и открывать произвольные строки.

Микроархитектура DDR4 предполагает использование 8-гигабитных чипов, в то время как модули стандарта DDR3, как правило, создаются на основе микросхем емкостью 4 Гбит. То есть при одинаковом количестве чипов мы получим в два раза больший объем. На сегодняшний день наиболее распространенными являются 4-гигабайтные модули (к слову, это минимальная емкость для планки памяти стандарта DDR4). Но в ряде зарубежных стран предлагаются уже и более емкие модули: на 8 и даже на 16 ГБ. Заметьте, что при этом мы говорим о массовом сегменте рынка.

Для решения же узкоспециализированных задач без проблем можно создавать модули еще большего объема. Для этих целей предусмотрены 16-гигабитные чипы и специальная технология для их компоновки в корпусе DRAM (Through-silicon Via). Например, компании Samsung и SK Hynix уже представили планки емкостью 64 и 128 ГБ. Теоретически же максимальный объем одного модуля DDR4 может составлять 512 ГБ. Хотя вряд ли мы когда-нибудь увидим практическую реализацию таких решений, поскольку их стоимость будет чрезвычайно большой.

Несмотря на увеличение всех основных характеристик, размеры планок памяти DDR4 и DDR3 остались сопоставимыми: 133,35 х 31,25 мм против 133,35 х 30,35 мм соответственно. В физическом плане изменилось лишь расположение ключа и количество контактов (с 240 их число увеличилось до 288). Так что даже при всем желании модуль DDR4 никак не удастся установить в слот для памяти DDR3 и наоборот.

Новый интерфейс связи с контроллером памяти

Новый стандарт памяти предусматривает использование и более прогрессивной шины связи модулей с контроллером памяти. В стандарте DDR3 применяется интерфейс Multi-Drop Bus с двумя каналами. При использовании сразу четырех слотов получается, что два модуля подключены к одному каналу, что не самым лучшим образом сказывается на производительности подсистемы памяти.

В стандарте DDR4 усовершенствовали этот интерфейс, применив более эффективную схему − один модуль на один канал. Новый тип шины получил название Point-to-Point Bus. Параллельный доступ к слотам однозначно лучше последовательного, поскольку в дальнейшем позволяет более эффективно наращивать быстродействие всей подсистемы. Может быть сейчас особого преимущества пользователи и не ощутят, однако в дальнейшем, когда возрастут объемы передаваемой информации, оно станет более показательным. Ведь именно по такой же схеме развивалась видеопамять GDDR и интерфейс PCI Express. Только использование параллельного доступа позволило в значительной степени увеличить их производительность.

Однако шина Point-to-Point Bus накладывает некие ограничения на количество используемых модулей. Так, двухканальный контроллер может обслуживать только два слота, а четырехканальный − четыре. При увеличении объемов планок стандарта DDR4 это не столь критично, но все же на первых порах может вызвать определенные неудобства.

Решается эта проблема довольно простым способом − путем установки специального коммутатора (Digital Switch) между контроллером и слотами памяти. По принципу своего действия он напоминает коммутатор линий PCI Express. В результате пользователю, как и прежде, будет доступно 4 или 8 слотов (в зависимости от уровня платформы), при этом будут использоваться все преимущества шины Point-to-Point Bus.

Читать еще:  Как увеличить оперативную память в ноутбуке?

Новые механизмы обнаружения и коррекции ошибок

Так как работа на высоких скоростях с большими стеками данных увеличивает шанс возникновения ошибок, то разработчики стандарта DDR4 позаботились о реализации механизмов для их обнаружения и предупреждения. В частности, в новых модулях имеется поддержка функции коррекции промахов, связанных с контролем четности команд и адресов, а также проверка контрольных сумм перед записью данных в память. На стороне же самого контроллера появилась возможность тестирования соединений без использования инициализирующих последовательностей.

Сравнение производительности памяти DDR4 и DDR3 в равных условиях

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Можно ли ставить разные планки оперативной памяти: вопросы совместимости

Увеличение объема оперативной памяти настольного компьютера или ноутбука является одним из самых популярных направлений в апгрейде. Увеличить отзывчивость и быстродействие ПК, добавив ОЗУ, очень просто. Часто для этого не нужно даже обращаться в СЦ, так как снизу ноута предусмотрен лючок для доступа к модулям SO-DIMM. В настольном ПК все еще проще: достаточно снять боковую крышку, выкрутив два винта.

При апгрейде у многих возникает вопрос, можно ли ставить разную память. Особенно он актуален в ситуациях, когда на борту уже установлены редкие модули OEM-производства, не представленные в розничной продаже. Поэтому рассмотрим вопрос детальнее, учитывая ключевые характеристики планок ОЗУ:

  • тип (поколение);
  • производитель;
  • объем;
  • тактовая частота;
  • тайминги (латентность).

Можно ли ставить планки памяти разного типа

Планки оперативной памяти разного типа ставить одновременно нельзя. Контроллеры, работающие с ОЗУ DDR2, DDR3 и DDR4, архитектурно отличаются. Также вставить планку не того разъема не выйдет физически. Модули DIMM хоть и имеют одинаковый форм-фактор, но ключ (вырез) препятствует неправильной установке. Установить DDR3 вместо DDR4 ( или наоборот) без повреждения разъема невозможно.

Гибридные материнские платы, оснащенные слотами двух типов (DDR2 и DDR3 или DDR3 и DDR4), выпускались с сокетами AM3, 775 и 1151 в качестве переходного решения. Их реализация стала возможна благодаря гибридным контроллерам ОЗУ, используемым в чипсете или процессоре. Однако ЦП не может одновременно работать с двумя поколениями ОЗУ, поэтому в условной ASRock B150M Combo-G можно одновременно использовать только две планки DDR3 или DDR4, но не оба типа вместе.

Можно ли ставить память разных производителей

Оперативную память разных производителей устанавливать одновременно можно. На рынке представлено всего несколько компаний, выпускающих чипы ОЗУ. Более 90% поставок осуществляют Samsung, Micron и Hynix. Большинство других фирм (вроде Kingston, G. Skill, Cruical) занимаются лишь сборкой модулей DIMM и брендированием.

Физически планки RAM разных производителей практически не отличаются и используют одинаковые чипы. Проблем с совместимостью обычно нет. То есть вы можете спокойно добавить к 8 ГБ DDR4 Kingston еще 8 ГБ такой же ОЗУ от Samsung. Желательно (но не обязательно — об этом ниже) при этом соблюдать идентичность объемов, количество чипов, частот и таймингов.

Можно ли ставить оперативную память разного объема

Производители рекомендуют попарно использовать идентичные DIMM-модули, чтобы добиться максимальной производительности. Однако ничего страшного не случится, если вы поставите оперативную память неодинакового объема. Главное – соблюдать максимальный объем, который поддерживается процессором или платой. Потому что если вы добавите к модулю на 4 ГБ 2 планки по 8 ГБ в плату, которая умеет работать только с 16 ГБ – процессор может их не увидеть.

При использовании одновременно трех и более модулей ОЗУ разных объемов старайтесь ставить отличающиеся планки в слоты одинаковой четности. Большинство ЦП работают с RAM в двухканальном режиме, чтобы удвоить скорость обмена данными. При этом слоты, принадлежащие соседним каналам, помечаются цветом и/или чередуются по четности. То есть нечетные разъемы подключены к первому каналу, четные – ко второму.

Если у вас есть, например, 2 модуля по 8 ГБ и 1 на 4 ГБ, ставьте планки по 8 ГБ в первый и третий разъем, а на 4 ГБ – во второй или четвертый. В таком случае первые 16 ГБ на некоторых платах могут работать в двухканальном режиме (Dual Channel Asymmetric). Без подобной возможности ОЗУ тоже заработает, просто прироста от двухканального подключения не будет.

Можно ли ставить память разной частоты

Ставить оперативную память разной частоты можно практически без ограничений. Главное, чтобы оба модуля принадлежали к одному типу и соответствовали стандартам JEDEC. Учитывая, что несертифицированным может быть разве что «ноунеймовый» Китай, на практике совместимость достигает 99%.

При установке планок оперативной памяти с отличающимися частотами происходит выравнивание по «морскому принципу» (скорость эскадры определяется самым тихоходным судном). То есть если вы добавите к модулю DDR4-2133 планку DDR4-2666, оперативка будет работать на частоте 2133 МГц. Также произойдет выравнивание других параметров.

Проблемы возможны, если в SPD (прошивке) модулей нет ни одного совпадающего профиля (набора частот и таймингов), соответствующего стандартам JEDEC. В таком случае система может не стартовать. Если подобное случилось у вас, можно попробовать включить ПК с одной планкой и зайти в настройки UEFI BIOS, нажав Del или F2 на старте системы. Далее нужно отыскать в меню настройки модулей ОЗУ, где принудительно снизить частоту и увеличить тайминги (задержки). После этого должны заработать оба модуля сразу.

Можно ли ставить память с разными таймингами

Устанавливать оперативную память с разными таймингами можно, как и планки отличающегося объема или частоты. В таком случае тоже происходит выравнивание скоростей по самому медленному элементу. Если одна планка имеет задержки CL15, а вторая – CL17, то они будут работать вместе с таймингами CL17. Как и при несовпадении частот, если с двумя планками компьютер не стартует, нужно вручную снизить частоту и увеличить задержки в настройках UEFI BIOS.

В большинстве случаев ставить разную оперативную память можно, все будет работать в штатном режиме. Поэтому если альтернативы нет, вы можете покупать модули DDR3 или DDR4, отличающиеся от установленных. Главное, перед этим проверьте характеристики материнской платы и процессора, чтобы удостовериться, что нужный вам объем ОЗУ ими поддерживается.

Чтобы минимизировать риск несовместимости, в первую очередь учитывайте частоту и задержки. Далее за ними следует объем, а вот производитель играет последнюю роль. То есть, к примеру, к модулю 8 ГБ DDR4-2133 CL15 Kingston лучше поставить 4 или 8 ГБ DDR4-2133 CL15 Samsung, чем 8 ГБ DDR4-2400 CL17 Kingston.

DDR3 vs DDR4 — а есть ли разница?

В 2016 году оперативная память поколения DDR4 прочно закрепилась на рынке, став не перспективной, но дороговатой технологией, а вполне доступным решением. Цены на чипы DDR3 и DDR4 почти сравнились, при этом, последняя привлекательна тем, что имеет более высокие тактовые частоты. Чем отличается память DDR3 от DDR4 — знают немногие, однако часто продавцы выставляют новинку, как явное преимуществом. Так ли это — попробуем разобраться.

Читать еще:  Как установить блок питания в системный блок?

Сравнение DDR3 и DDR4: немного теории

Разработки памяти DDR4 были начаты пусть и не в годы бородатой древности, но относительно давно. Первые движения в этом плане предпринимались JEDEC в 2005-2006 годах, когда большинство домашних ПК еще было на базе DDR первого поколения. Однако в массовую продажу новые чипы (и платы, их поддерживающие) поступили лишь в 2014-2015 годах, когда Intel представили процессоры под сокет 1151. С тех пор не утихают споры, какая память лучше — DDR3 или DDR4.

Цифры и попугаи

Основным аргументом в пользу новой памяти DDR4 являются ее теоретические характеристики. Так, предел скоростей памяти увеличился: в массовом сегменте ранее царила память DDR3 с частотами 1333, 1600 и 1866 МГц (точнее, не мегагерц, а миллионов трансферов в секунду, так как все типы памяти DDR одновременно могут передавать по 2 байта данных за такт), а более высокие частоты поддерживались лишь в режиме разгона, и не всеми процессорами. Память DDR4 имеет минимальные скорости на уровне тех же 1866 или даже 2133 МГц (МТ/с). Нехитрая арифметика показывает, что DDR4 1866 передает за один момент времени в 1,5 раза больше данных, чем DDR3 1333.

А теперь — о латентности

При учете скоростных параметров важно помнить, что полное название памяти (аббревиатура) выглядит как DDR3/DDR4 SDRAM. Сокращение RAM в данном случае указывает, что это Random Access Memory или Память Случайного Доступа. Выражаясь общепонятно, эти заумные слова означают, что память ориентирована на случайный доступ к данным по всему массиву памяти, всем ячейкам. То есть, контроллер может в любой момент обратиться к любой пустой ячейке, чтобы записать туда данные, или к любой занятой ячейке — чтобы считать их оттуда. Происходит это не мгновенно, а определенное время, которое измеряется в тактах. Это значение указывается в характеристиках, как CAS-латентность (CL), а в просторечии именуется таймингами.

Важной особенностью (и важным недостатком) памяти является тот факт, что с остом тактовой частоты — вырастает и задержка. К примеру, для памяти DDR 1-го поколения, частотой 400 МГц, типичным значением CL было 2,5 такта. Если разделить время (1 секунда) на количество тактов (400 миллионов) — длительность такта получается на уровне 2,5 нс (наносекунд). 2,5 такта по 2,5 нс — это 6,25 нс суммарно. Результат нужно умножить на 2, так как задержка, как и передача, происходит по 2 фронтам. Таким образом, между подачей запроса на чтение ячейки и ее чтением у памяти DDR 400 проходит 12,5 нс.

Самая популярная тактовая частота памяти DDR3 составляет 1600 МГц, а типичная задержка — 9 тактов. Если секунду разделить на 1600 млн тактов — получается, что на такт уходит 0,625 мс. Умножив данное число на 9, получаем 5,625 нс, и умножаем на 2. То есть, задержка у памяти DDR3 1600 составляет 11,25 нс — всего на 10 % меньше, чем у древней DDR.

Типичная частота памяти DDR4, поддерживаемой современными процессорами, составляет 2133 МГц. Наиболее распространенная величина CAS-латентности — 15 тактов. 2133 миллиона тактов за секунду означают, что на один такт тратится 0,469 нс. Если умножить длительность такта на 15 (задержка), и умножить на 2 — получается, что у популярной памяти DDR4 2133 время задержки достигает 14 нс. Это больше (на те же 10 %), чем у покрытой мхом и шагающей на свалку истории DDR 400!

Конечно, на задержки, как единственную характеристику, полагаться нельзя. В линейном режиме записи и чтения новая память DDR4 существенно быстрее предшественников. Этим частично нивелируется почти не меняющееся время задержек, однако именно из-за них при росте скоростей — производительность системы не растет пропорционально, а разница между ddr3 и ddr4 остается не очень значительной.

А что на практике

Сравнение DDR3 и DDR4 в теории показывает, что новая память заметно быстрее предшественников в режиме линейных (последовательных) чтения и записи, но не отличается от них существенно в плане временных задержек доступа (5-7 нс). Однако голые цифры не всегда отражают реальную картину.

Тестирование DDR3 vs DDR4 проводились неоднократно с того момента, как появились процессоры Intel SkyLake, поддерживающие оба типа памяти. К сожалению, у нас сейчас нет под рукой материнской платы на сокете 1151 под память DDR3, но тесты с ресурса anandtech.com позволяют наглядно сравнить на практике оба типа памяти. Для тестирования использовались чипы памяти DDR4 2133 CL15 и DDR3 1866 CL9. Процессор испытательного стенда — актуальный Intel Core i7 6700K.

Тест в однопоточном режиме в бенчмарке Cinerbench показал практически равные результаты, с перевесом в 1 балл победила DDR3, но и это — в пределах статистической погрешности.

В многопоточном тестировании, в той же программе, разрыв составил 3 балла, показывая, что DDR3 лучше DDR4, но и это — несущественная разница.

В популярном архиваторе WinRar измерялось время сжатия файла, размером 1,5 Гб. Чем оно меньше — тем лучше, и в этом тесте DDR3 оказалась немного медленнее, чем DDR3. Однако отставание составило несущественные 3 %.

PovRay, популярный инструмент для работы с трехмерным рендерингом, тоже показал паритет между обоими стандартами памяти. DDR3 набрала на 1 балл больше, но это — даже меньше, чем 0,1 % разницы с DDR4.

Еще один бенчмарк, в котором производилось сравнение DDR3 и DDR4 — Dolphin Benchmark. Он (что уже предсказуемо) показал минимальную разницу, однако на этот раз чуть лучше оказалась DDR3.

Похожие результаты показало и сравнение DDR3 и DDR4 с ресурса ixbt.com. Их специалистами была протестирована интегральная (средняя) производительность ПК в играх с памятью DDR3 1600 и DDR4 2133. Как видно из графика, в трех случаях за DDR4 остается перевес в пределах 10 %, а в двух — разницы вообще нет.

Что же лучше — DDR3 или DDR4

Как показали и теоретические рассуждения, и практические тесты, разница между DDR3 и DDR4 в реальности не достигает тех 50 % и выше, что рисуют нам графики соотношения линейных скоростей. В большинстве задач между ними наблюдается паритет, с незначительным перевесом в ту или иную сторону. Таким образом, вопрос, что лучше, DDR3 или DDR4, можно снимать с повестки дня. Если учитывать аспект производительности, а также вторичные моменты — из этого финала можно почерпнуть несколько выводов.

  • DDR4 и DDR3 не сильно отличаются по производительности.
  • Память DDR4 немного энергоэффективнее, так как работает от напряжения 1,2 В, а DDR3 — от 1,5 В.
  • Если процессор компьютера принадлежит к поколению Intel Sandy Bridge и новее — менять его на что-то новое с поддержкой DDR4 нет особой выгоды, лучше докупить еще памяти DDR3.
  • Если производится сборка нового ПК — желательно использовать память DDR4, так как DDR3 устаревает, и в будущем сделать апгрейд ОЗУ будет сложнее.
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector